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Datasheet MTDB6N20H8 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | MTDB6N20H8 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C875H8 Issued Date : 2016.12.19 Revised Date : Page No. : 1/10
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTDB6N20H8
BVDSS ID@VGS=10V, TC=25°C
ID@VGS=10V, TA=25°C
RDSON(typ)@VGS=10V, ID=3A
RDSON(typ)@VGS=4.5V, ID=2A
200 V 8A 1.8A
285 mΩ 287 mΩ
Features |
Cystech Electonics |
MTDB6N2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
MTDB6N20H8 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
Cystech Electonics |
Esta página es del resultado de búsqueda del MTDB6N20H8. Si pulsa el resultado de búsqueda de MTDB6N20H8 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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