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PDF EMB20N03V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB20N03V
Descripción N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB20N03V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
20mΩ 
ID  12A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=8A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
PD 
Tj, Tstg 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
2013/8/17 
 
 
EMB20N03V
LIMITS 
±20 
12 
9 
48 
8 
3.2 
1.6 
21 
8.3 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
W 
°C 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB20N03V pdf
  EMB20N03V
 
 
 
  10
I D  = 8A
 
8
 
Gate Charge Characteristics
VD  S   = 5V
10V
15V
 6
 4
 
 2
 0
0
 
4 8 12
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
16
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20 25
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
30
  Maximum Safe Operating Area
100
 
  10 R D S  (O  N  ) Limit
100μs
1ms
  10ms
 1
100ms
1s
 
  0.1
  VG  S = 10V
Single Pulse
  R  J  A = 50°C/W
  T A  = 25°C
10s
DC
  0.01
0.1
 
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
 
 
1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
  0.1
0.1
0.05
 
0.02
  0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D = t2 t1
t2
2.R θ J  A = 50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/8/17 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB20N03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB20N03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB20N03QField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB20N03VN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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