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PDF EMA09N03CS Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMA09N03CS
Descripción N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMA09N03CS Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
25V 
D
RDSON (MAX.) 
9mΩ 
ID  50A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=37.5A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMA09N03CS
LIMITS 
±20 
50 
35 
140 
37.5 
70 
15 
50 
20 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
2013/8/22 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
2.5 
75 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMA09N03CS pdf
 
 
  EMA09N03CS
 
G A T E C H A R G E C H A R A C T E R IS T IC S
12
  ID= 2 5 A
10 4
C A P A C IT A N C E  C H A R A C T E R IS T IC S
  10
 
8
 
6
 
V DS =5V
15V
10V
10 3
C iss
C o ss
 4
10 2
C rss
 
2
 
 0
0
6 12
18
Q g ,G A T E C H A R G E ( n C )
 
f =  1  M H z
V GS= 0  V
0 5 10 15 20 25
V DS ‐D R A IN S O U R C E  V O L T A G E  ( V  )
30
 
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
300
  200
  100 R d s (o  n ) Limit
10μ  s
50
 
20
 
10
 5
 2
100μ  s
1ms
10ms
D1C00ms
 1
  0.5
VG  S = 10V
RSIθ N J C G= L2E. 5P° UC/LWSE
Tc = 25 °C
0.5 1
 
10
VD S  ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE( V )
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
3000
SINGLE PULSE
Rθ  J C = 2.5° C/W
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0
100 0.01 0.1 1 10 100 1000
SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
 
1
  Duty Cycle = 0.5
  0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.3
0.2 0.2
 
  0.1 0.1
0.05
  0.05
  0.02
0.03
0.01
  0.02
Single Pulse
  0.01
102
101
 
Notes:
DM
1 10
t 1 ,Time ( mSEC )
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J C  =2.5°C/W
3.TJ  ‐  TC   = P * R θ J C  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
100
 
1000
 
 
2013/8/22 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMA09N03CSN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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