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PDF 3DD5017 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 3DD5017 | |
| Descripción | Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors | |
| Fabricantes | Huajing Microelectronics | |
| Logotipo |  |
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华晶分立器件
3DD5017
低频放大管壳额定双极型晶体管
1. 概述与特点
3DD5017 硅 NPN 型高反压大功率晶体管，主要用作彩电开关电源，该产品采用平面结
构。其特点如下：
● 击穿电压高、漏电流小
● 开关速度快
● 饱和压降低
● 电流特性好
● 封装形式：TO-3P(H)IS
2. 电特性
15.5max
5.5max
3max
Φ3.6
2.1 极限值
除非另有规定，Tamb= 25℃
参数名称
符号
集电极-发射极电压 VCE0
额定值
650
单位
V
标记
集电极-基 极电压 VCB0
1100
V
发射极-基 极电压
集电极电流
VEB0
IC
7
15
V
A
2max
0.75max
耗 散 功 Ta=25℃ Ptot
3.0
率 Tc=25℃
55 W
结温
Tj 150 ℃
5.45 5.45
BCE
3.3min
0.9max
贮存温度
Tstg -55～150 ℃
2.2 电参数
除非另有规定，Tamb= 25℃
参数名称
符号
测试条件
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
下降时间
ICB0
IEB0
hFEa（1）
hFEa（2）
VCEsata
Va
BEsat
tf
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2%
VCB=1100V, IE=0
VEB=7V, IC=0
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=6A
IC=6A, IB=1.2A
IC=6A, IB=1.2A
VCC=200V, IC=7A
2IB1=-IB2=1.4A
VCE=10V, IC=1.2A
f=1.0MHz
规范值
最小 典型 最大
0.5
10
15 40
8
0.5
1.5
0.3
4
单位
mA
μA
V
V
μs
MHz
无锡华润华晶微电子有限公司
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 3DD5011 | CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR |  JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| 3DD5011A9 | Silicon NPN Bipolar Transistor | Huajing Microelectronics |
| 3DD5011AH | Silicon NPN Bipolar Transistor | Huajing Microelectronics |
| 3DD5017 | CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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