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3DD13012AN Schematic ( PDF Datasheet ) - Huajing Microelectronics
| Teilenummer | 3DD13012AN |
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| Beschreibung | Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor | |
| Hersteller | Huajing Microelectronics | |
| Logo |  |
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Gesamt 4 Seiten 
产品概述
3DD13012 AN 是硅 NPN
型功率开关晶体管，该产品
采用平面工艺，分压环终端
结构和少子寿命控制技术，
集成了有源抗饱和网络，提
高了产品的击穿电压、开关
速度和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13012 AN
○R
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 紧凑型电子节能灯
● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot（TC=25℃）
400
15
120
V
A
W
封装 TO-3P(N)
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃～40℃
1 年 265℃
相对湿度 ＜85％
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定，Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流（tp＜5ms）
基极直流电流
基极脉冲电流（tp＜5ms）
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25℃
Tc=25℃
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
750
400
9
15
30
7.5
15
3
120
150
-55～150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
最小值 典型值
2012 版
最大值
1.04
41.7
单位
℃/W
℃/W
1/4
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| Seiten | Gesamt 4 Seiten | |
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Besondere Datenblatt
| Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
| 3DD13012A8 | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
| 3DD13012AN | Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor | Huajing Microelectronics |
| Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
| CD40175BC | Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop. |
 Fairchild Semiconductor |
| KTD1146 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR. |
 KEC |
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