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Número de pieza | C5206 | |
Descripción | Silicon NPN Triple Diffused Transistor | |
Fabricantes | Hitachi | |
Logotipo | ||
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Silicon NPN Triple Diffused
Application
High power switching
Features
• High breakdown voltage
VCBO = 500 V
• Isolated package
TO-220FM
Outline
TO-220FM
123
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1 page Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
1
0.5
IC/I B=5
Pulse Test
0.2 75 °C
0.1
25 °C
0.05
Tc = –25 °C
0.02
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
Collector Current I C (A)
Base to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
10
5
IC/I B=5
Pulse Test
2
1 Tc = –25 °C 25 °C
0.5
75 °C
0.2
0.1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
5 10
Collector Current I C (A)
2SC5206
5
5 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet C5206.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
C5200 | NPN Transistor - 2SC5200 | Toshiba |
C5201 | NPN Transistor - 2SC5201 | Toshiba |
C5206 | Silicon NPN Triple Diffused Transistor | Hitachi |
C5207A | NPN Transistor - 2SC5207A | Hitachi Semiconductor |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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