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PDF W2XN934 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | W2XN934 | |
| Descripción | Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors | |
| Fabricantes | XINSUN | |
| Logotipo |  |
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江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片
W2XN934
低频放大管壳额定双极型晶体管
文件编号 XS-J-003
版 本 号 13-A1-03
页 码 1/3
1 主要用途及主要特点
1.1 主要用途
用 W2XN934 封装的成品管主要用于电子充电器电路中。
1.2 主要特点
z 开关损耗低、可靠性高
z 高温特性好
z 反向漏电小
2 芯片数据
芯片示意图
芯片尺寸（mm×mm）
芯片厚度（µm）
划片道*尺寸（µm）
键合区面积
(µm2)
基区
发射区
钝化层
正面电极
金属
厚度（µm）
背面电极
金属
硅片直径（㎜）
装片要求（推荐）
键合要求（推荐）
* 划片道位置示意图：
1.49×1.49
240±20
50
144×260
160×260
PIA
铝
5±1.0
银
φ125
焊料
铜丝；φ42μm；E、B 区各一根；
3 电特性(在推荐的封装形式、适当的封装条件下)
3.1 极限值
除非另有规定，Tamb= 25℃
参数名称
符号
额定值
集电极-基 极电压
VCB0 800
集电极-发射极电压
VCE0 500
发射极-基 极电压
VEB0 9
集电极电流
IC 0.5
耗散功率(Tamb=25℃)
Ptot 1.25
结温
Tj 150
贮存温度
Tstg -55～150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
备注
推荐封装形式：TO-126
推荐成品型号：
3DD13003H
江阴新顺微电子有限公司
地 址：江苏省江阴市滨江中路 275 号
网址：http://www.xinshun.cn
电 话：（0510）86851182 86852109
传真：（0510）86851532
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| W2XN934 | Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors | XINSUN |
| W2XN9386 | Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors | XINSUN |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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