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PDF DK43N Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | DK43N | |
| Descripción | Silicon NPN power switching transistor | |
| Fabricantes | YANGZHOU GENESIS-JINGLAI SEMICONDUCTOR | |
| Logotipo |  |
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扬州中芯晶来半导体制造有限公司
YANGZHOU GENESIS-JINGLAI SEMICONDUCTOR MANUFACTURE Co.,LTD
DK43N
硅 NPN 大功率开关晶体管
■用 途
主要用于供电电压为 110V~130V、非倍压整流的电子节能灯、日光灯电子镇流器及其它振荡电路等。
■极限参数
■外形结构
项目
集电极-发射极电压
集电极-基极电压
发射极-基极电压
集电极电流
集电极功耗 TC=25℃
符号
V CEO
V CBO
V EBO
IC
P tot（1）
集电极功耗 Ta=25℃
结温
贮存温度
P tot（2）
T jm
T stg
极限值
220
350
9
1.5
15(TO-92)
40(TO-126、TO-251)
1.0(TO-92)
1.25(TO-126、TO-251)
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
W
W
℃
℃
BCE BCE
BCE
TO-92 TO-126 TO-251
■电 特 性(Ta=25℃)
项目
集电极-基极反向电流
发射极-基极反向电流
直流电流增益
集电集-发射极饱和电压
基极-发射极饱和电压
集电极-发射极击穿电压
贮存时间
特征频率
符号
I CBO
I EBO
h FE
V CE(sat)
V BE(sat)
V (BR)CEO
tS
fT
测试条件
VCB=350 V
VEB=9 V
VCE=5 V,IC=0.5 A
IC=1 A , IB=0.25 A
IC=1 A , IB=0.25 A
IC=1 mA
IC=0.5 A, IB=0.1 A, VCE=5 V
VCE=10 V,IC=0.5 A, f=1 MHz
参数值
≤0.1
≤1
10~40
≤1.0
≤1.2
≥220
≤1.8
≥4
单位
mA
mA
V
V
V
µs
MHz
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| DK43N | Silicon NPN power switching transistor | YANGZHOU GENESIS-JINGLAI SEMICONDUCTOR |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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