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PDF D2110 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza D2110
Descripción NPN Transistor - 2SD2110
Fabricantes Inchange Semiconductor　
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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INCHANGE Semiconductor
www.DataSheet4U.com
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD2110
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 2A
·High DC Current Gain
: hFE= 1000(Min) @ IC= 2A, VCE= 3V
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
i.cnSYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
.iscsemVCBO
Collector-Base Voltage
80 V
wwwVCEO
Collector-Emitter Voltage
80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
4A
ICM Collector Current-Peak
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
PC
Collector Power Dissipation
@ Ta=25℃
TJ Junction Temperature
8A
25
W
2
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc Website：www.iscsemi.cn

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
D2110NPN Transistor - 2SD2110Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
D2111NPN Transistor - 2SD2111Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
D2114(D2114 / D2115) RAMIntel
Intel
D2115(D2114 / D2115) RAMIntel
Intel

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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