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PDF A1309 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza A1309
Descripción PNP Silicon
Fabricantes FGX　
Logotipo FGX Logotipo



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No Preview Available ! A1309 Hoja de datos, Descripción, Manual

■■APPLICATION：GENERAL PURPOSE APPLICATION.
■■MAXIMUM RATINGS（Ta＝25℃）
PARAMETER
SYMBOL RATING UNIT
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
TJ
Tstg
-30 V
-25 V
-5 V
-100 mA
300 mW
150 ℃
﹣55~150 ℃
A1309
—PNP silicon —
■■ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT
TEST CONDITION
Common Emitter DC Current Gain hFE
400
VCE= -10V，Ic= -2mA
Collector Cut-off Current
ICBO
-0.1 µA VCB= -30V，IE=0
Emitter Cut-off Current
IEBO
-0.1 µA VEB= -5V，Ic=0
Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO -30
V Ic= -0.1mA，IE=0
Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO -25
V Ic= -1mA，IB=0
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
-5
V IE= -0.1mA，Ic=0
Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)
-0.3 V
Ic= -100mA，IB= -10mA
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
-1.1 V
Ic= -100mA, IB= -10mA
Gain bandwidth product
fT 40
MHz Ic= -1mA，VCE= -10V
Common Base Output Capacitance Cob
4 7 PF VCB= -10V, IE=0, f = 1MHz
Power Gain
GP
1.0 10
dB VCE= -6V,Ic= -0.1mA,f= 1MHz,Rg=10K=
■■hFE Classification
Classification
hFE
O
≥400
Y

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
A1300PNP Transistor - 2SA1300Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
A1301Continuous-Time Ratiometric Linear Hall Effect Sensor ICsAllegro MicroSystems
Allegro MicroSystems
A1302Continuous-Time Ratiometric Linear Hall Effect Sensor ICsAllegro MicroSystems
Allegro MicroSystems
A1303PNP Transistor - 2SA1303Sanken electric
Sanken electric

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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