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PDF GT15J121 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza GT15J121
Descripción Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT
Fabricantes Toshiba Semiconductor 
Logotipo Toshiba Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! GT15J121 Hoja de datos, Descripción, Manual

TOSHIBA
GT15J121
Preliminary TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT
GT15J121
High Power Switching Applications
Fast Switching Applications
●  The 4th generation
●  Enhancement-mode
●  Ultra Fast Switching(UFS :Operating frequency up to 150kHz(Reference)
●  High speed
:tr=0.03μs(typ.)
:tf=0.08μs(typ.)
●  Low switching loss
:Eon=0.23mJ(typ.)
:Eoff=0.18mJ(typ.)
Maximum Ratings (Ta=25)
Characteristic
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
DC
1ms
Collector power dissipation
(Tc=25)
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Ratings
600
±20
15
45
35
150
-55150
Unit
V
V
A
W
2001-7- 1/2

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
GT15J121Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBTToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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