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PDF C1969 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | C1969 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | INCHANGE | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SC1969
DESCRIPTION
·High Power Gain-
: Gpe≥12dB,f= 27MHz, PO= 16W
·High Reliability
APPLICATIONS
·Designed for 10~14 watts output power class AB amplifiers
applications in HF band.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
60 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage RBE= ∞
25
V
VEBO Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
PC
Collector Power Dissipation
@Ta=25℃
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
6A
20
W
1.7
150 ℃
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-a
Rth j-c
Thermal Resistance,Junction to Ambient 73.5 ℃/W
Thermal Resistance,Junction to Case
6.25 ℃/W
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| C1968 | NPN Transistor - 2SC1968 |  Mitsubishi |
| C1968 | Silicon NPN POWER TRANSISTOR |  HGSemi |
| C1968A | NPN Transistor - 2SC1968A | Mitsubishi |
| C1969 | NPN Transistor - 2SC1969 |  Mitsubishi Electric Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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