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PDF C3192 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | C3192 | |
| Descripción | NPN SIlicon | |
| Fabricantes | Jing Hi-Tech | |
| Logotipo |  |
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广东省粤晶高科股份有限公司
■■主要用途：高频、甚高频放大及振荡等。
■■绝对最大额定值（Ta＝25℃）
项目
符 号 额定值 单 位
集电极—基极电压
VCBO
35
V
集电极—发射极电压 VCEO
30
V
发射极—基极电压
VEBO
4
V
集电极电流
IC 50 mA
集电极耗散功率 PC 625 mW
结温
TJ 150 ℃
存储温度
Tstg ﹣55~150 ℃
C3192
—NPN silicon —
■■电参数（Ta=25℃）
项目
符号
最小值 典型值 最大值 单位
测 试条件
直流电流增益
hFE 40
240 VCE= 12 V，Ic= 2 mA
集电极-基极截止电流 ICBO
发射极-基极截止电流 IEBO
集电极-基极击穿电压 BVCBO
集电极-发射极击穿电压 BVCEO
发射极-基极击穿电压 BVEBO
基极-发射极电压
VBE
集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)
基极-发射极饱和压降 VBE(sat)
电流增益-带宽乘积
fT
共基极输出电容
Cob
功率增益
GP
35
30
4
100
27
0.1
1
0.7 1
0.4
1
300
2 3.2
29 33
μA VCB= 35 V，IE=0
μA VEB= 4 V，Ic=0
V Ic= 0.1 mA，IE=0
V Ic= 1 mA，IB=0
V IE= 0.1 mA，Ic=0
V VCE= 10 V，Ic= 1 mA
V Ic= 10 mA，IB= 1 mA
V Ic= 10 mA, IB= 1 mA
MHz Ic= 1 mA，VCE= 10 V
PF VCB=10 V, IE=0, f = 1 MHz
dB VCE= 6 V，IE= -1 mA f =0.7 MHz
■■hFE 分档及其标识志
分档
Ｒ Ｏ Ｙ
hFE
40～80
70～140
120～240
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| C3192 | NPN SIlicon | Jing Hi-Tech |
| C3192 | NPN Transistor |  TIP |
| C3194 | NPN Transistor | TIP |
| C3195 | NPN silicon |  FGX |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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