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PDF 3DG2060 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 3DG2060
Descripción NPN Transistor
Fabricantes WEJ　
Logotipo WEJ Logotipo



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No Preview Available ! 3DG2060 Hoja de datos, Descripción, Manual

RoHS
2SC2060
D2SC2060 TRANSISTOR (NPN)
TFEATURE
.,LPower dissipation
PCM:
0.75 W (Tamb=25℃)
Collector current
OICM: 1 A
Collector-base voltage
CV(BR)CBO:
40 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
TO-92MOD
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
123
NICELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
OParameter
Symbol
Test conditions
MIN
RCollector-base breakdown voltage
V(BR)CBO
Ic= 100µA , IE=0
40
TCollector-emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
IC= 1mA , IB=0
32
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO
IE= 100µA, IC=0
5
CCollector cut-off current
ICBO VCB=40V , IE=0
EEmitter cut-off current
IEBO VEB=4V , IC=0
LDC current gain
hFE(1)
VCE=3V, IC= 100mA
80
WEJ ECollector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC= 500m A, IB= 50mA
MAX
0.5
0.1
400
0.4
UNIT
V
V
V
µA
µA
V
WEJ ELECTRONIC CO. Http:// www.wej.cn E-mail:[email protected]
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
3DG2060SILICON NPN TRANSISTORLZG
LZG
3DG2060NPN TransistorWEJ
WEJ

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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