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DD261N Schematic ( PDF Datasheet ) - eupec GmbH

Teilenummer DD261N
Beschreibung Rectifier Diode Module
Hersteller eupec GmbH
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Gesamt 10 Seiten
DD261N Datasheet, Funktion
N Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD261N
DD261N
DD260N..K..-A
ElektKriesnchnedEatigeennschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische EigenschaftenPeriodische Spitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
repeTtitihve eperakmreviesrsecvholtaegesEigenschaften
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
TC = 100°C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
VRRM
VRSM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
DD260N..K..-K
2000
2400
2100
2500
2200 V
2600 V
2300 V
2700 V
410 A
260 A
9.500 A
8.300 A
451.000 A²s
344.000 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Tvj = Tvj max , iF = 800 A
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
vF
V(TO)
rT
iR
VISOL
max.
max.
1,42 V
0,7 V
0,68 m
40 mA
3,6 kV
3,0 kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,085 °C/W
0,170 °C/W
0,082 °C/W
0,164 °C/W
0,02 °C/W
0,04 °C/W
150 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
prepared by: C. Drilling
approved by: M.Leifeld
date of publication: 14.08.03
revision:
2
BIP AC / 87-08-21, K.Spec
www.DataSheet4U.net
A20/87
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DD261N Datasheet, Funktion
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD261N
400
Diagramme
300
200
Diagramme
Durchgangsverlu18s0t°esin180 ° rec
120 ° rec
Θ= 60 ° rec
DC
100
0
0
100
200
IFAV [A]
300
400
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
Gehäusetemperatur
160
140
120
100
80
60
180 ° sin
40
Θ= 60 ° rec
120 ° rec 180 ° rec
DC
20
0
100
200 IFAVM [A]
300
400
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / 87-08-21, K.Spec
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
DD261NRectifier Diode Moduleeupec GmbH
eupec GmbH
DD261NRectifier Diode ModuleInfineon
Infineon

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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