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PDMB800E6 Schematic ( PDF Datasheet ) - Nihon Inter Electronics Corporation

Teilenummer PDMB800E6
Beschreibung IGBT MODULE
Hersteller Nihon Inter Electronics Corporation
Logo Nihon Inter Electronics Corporation Logo 




Gesamt 4 Seiten
PDMB800E6 Datasheet, Funktion
IGBT Module-D ual
□ 回 路 図 : CIRCUIT
800A,600V
QS043-402-20396(2/5)
PDMB800E6
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
140
130
110
36 43.8
10
13.8 11.5
4 - Ø6.5
(C2E1)
1
(E2)
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
3-M8
12
7
6
3
5
4
4-M4
LABEL
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (T=25℃)
Item
Symbol
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
CES
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
GES
コレク
Collector
コレク
Collector
タ電流
Current
タ損失
Power Dissipation
DC
1ms
CP
Rated Value
600
±20
800
1,600
2,700
Unit
接合温度
Junction Temperature Range
-40~+150
保存温度
Storage Temperature Range
stg
-40~+125
絶 縁 耐 圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
締め付けトルク
Mounting Torque
Module Base to Heatsink
Busbar to Terminals
ISO
tor
M4
M8
2,500
3(30.6)
1.4(14.3)
10.5( 1 0 7 )
(RMS)
N・m
(kgf・cm)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃)
Characteristic
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
Symbol Test Condition
CES
CE= 800V,VGE= 0V
GES
GE= ±20V,VCE= 0V
Min.
Typ.
Max. Unit
1.0
mA
- - 1.0 μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
CE(sat) = 800A,VGE= 15V
2.1 2.6
ゲ ー ト しきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
GE(th)
CE= 5V,I= 800mA
4.0
8.0
入力容量
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Rise Time
Turn-on Time
Fall Time
Turn-off Time
ies
on
off
CE= 10V,VGE= 0V,f= 1MH
CC= 300V
= 0.375Ω
= 1.5Ω
GE= ±15V
- 40,000 -
pF
- 0.15 0.35
0.30 0.85
0.10 0.25
μs
- 0.40 0.80
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(T=25℃)
順電流
Forward Current
Item
DC
1ms
Symbol
FM
Rated Value
800
1,600
Unit
Characteristic
順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
Symbol Test Condition
rr
= 800A,VGE= 0V
= 800A,VGE= -10V
di/dt= 1600A/μs
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
熱抵抗
IGBT
Thermal Impedance
Diode
Symbol Test Condition
Rth(j-c) Junction to Case
(Tc測定点チップ直下)
www.DataSheet.in
日本インター株式会社
Min.
Typ.
1.9
Max. Unit
2.4
- 0.15 0.25 μs
Min.
Typ. Max. Unit
- 0.045 ℃/W
- 0.110
00





SeitenGesamt 4 Seiten
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
PDMB800E6IGBT MODULENihon Inter Electronics Corporation
Nihon Inter Electronics Corporation

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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