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PDMB400BS12 Schematic ( PDF Datasheet ) - Nihon Inter Electronics Corporation

Teilenummer PDMB400BS12
Beschreibung IGBT MODULE
Hersteller Nihon Inter Electronics Corporation
Logo Nihon Inter Electronics Corporation Logo 




Gesamt 4 Seiten
PDMB400BS12 Datasheet, Funktion
IGBT Module-Dual
□ 回 路 図 : CIRCUIT
(C2E1)
1
(E2)
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
400 A,1200V
QS043-402-20373(2/5)
PDMB400BS12
PDMB400BS12C
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
3-M6
110
93 ± 0.2 5
14 11 14 11 14
4-Ø6.5
3-M6
108
93 ± 0 .25
14 11 14 11 14
4-Ø 6.5
1 2 37
6
5
4
1 2 37
6
5
4
25 25 24
16 9 16 9 16
25 25 24
16 9 16 9 16
LABEL
LABEL
PDMB400BS12
PDMB400BS12C
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (T=25℃)
Item
Symbol
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
CES
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
GES
コレク
Collector
コレク
Collector
タ電流
Current
タ損失
Power Dissipation
DC
1ms
CP
接合温度
Junction Temperature Range
保存温度
Storage Temperature Range
stg
絶 縁 耐 圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
ISO
締 め 付 け ト ル ク Module Base to Heatsink
Mounting Torque
Busbar to Main Terminal
tor
Rated Value
1,200
±20
400
800
2,400
-40~+150
-40~+125
2,500
3(30.6)
Unit
(RMS)
N・m
(kgf・cm)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃)
Characteristic
Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
CES
CE= 1200V,VGE= 0V
- - .0 mA
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
GES
GE= ±20V,VCE= 0V
1.0
μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
CE(sat) = 400A,VGE= 15V
- 2.3 2.7 V
ゲ ー ト しきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
GE(th)
CE= 5V,I= 400mA
4.0 - 8.0 V
入力容量
Input Capacitance
ies
CE= 10V,VGE= 0V,f= 1MH
- 25,200 -
pF
スイッチング時間
Switching Time
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Rise Time
Turn-on Time
Fall Time
Turn-off Time
on
off
CC= 600V
L= 1.5Ω
G= 3.9Ω
GE= ±15V
- 0.25 0.45
0.40 0.70
0.25 0.35
μs
- 0.80 1.10
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(T=25℃)
Item
Symbol
Rated Value
Unit
順電流
Forward Current
DC
1ms
FM
400
800
Characteristic
順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
Symbol
rr
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
熱抵抗
IGBT
Thermal Impedance
Diode
Symbol
Rth(j-c)
Test Condition
= 400A,VGE= 0V
= 400A,VGE= -10V
di/dt= 800A/μs
Test Condition
Junction to Case
www.DataSheet.in
日本インター株式会社
Min.
Typ.
2.2
Max. Unit
2.6
0.2 0.3
μs
Min.
Typ. Max. Unit
0.052
0.107
℃/W
01





SeitenGesamt 4 Seiten
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
PDMB400BS12IGBT MODULENihon Inter Electronics Corporation
Nihon Inter Electronics Corporation
PDMB400BS12CIGBT MODULENihon Inter Electronics Corporation
Nihon Inter Electronics Corporation

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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