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PDMB200BS12C Schematic ( PDF Datasheet ) - Nihon Inter Electronics Corporation

Teilenummer PDMB200BS12C
Beschreibung IGBT MODULE
Hersteller Nihon Inter Electronics Corporation
Logo Nihon Inter Electronics Corporation Logo 




Gesamt 4 Seiten
PDMB200BS12C Datasheet, Funktion
IGBT Module-Dual
□ 回 路 図 : CIRCUIT
(C2E1)
1
(E2)
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
200 A,1200V
QS043-402-20371(2/5)
PDMB200BS12
PDMB200BS12C
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
3-M6
108
93 ±0 .2 5
14 11 14 11 14
4-Ø 6.5
1 2 37
6
5
4
25 25 24
16 9 16 9 16
94.0
80 ±0.25
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
123
2-Ø6.5
7
6
3-M5
23.0
5
4
23.0 17.0
14 9 14 9 14
4-fasten tab
#110 t=0.5
LABEL
LABEL
PDMB200BS12
PDMB200BS12
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (T=25℃)
Item
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コレクタ電流
Collector Current
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
DC
1ms
Symbol
CES
GES
CP
Rated Value
1,200
±20
200
400
1,200
Unit
接合温度
Junction Temperature Range
-40~+150
保存温度
Storage Temperature Range
stg
-40~+125
絶 縁 耐 圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
締 め 付 け ト ル ク Module Base to Heatsink
Mounting Torque
Busbar to Main Terminal
ISO
tor
PDMB200BS12
2,500
3(30.6) PDMB200BS12C 3(30.6)
3(30.6)
2(20.4)
(RMS)
N・m
(kgf・cm)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃)
Characteristic
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
Symbol Test Condition
CES
CE= 1200V,VGE= 0V
GES
GE= ±20V,VCE= 0V
Min.
Typ.
Max. Unit
.0 mA
1.0
μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
CE(sat) = 200A,VGE= 15V
- 2.3 2.7 V
ゲ ー ト しきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
GE(th)
CE= 5V,I= 200mA
4.0 - 8.0 V
入力容量
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Rise Time
Turn-on Time
Fall Time
Turn-off Time
ies
on
off
CE= 10V,VGE= 0V,f= 1MH
CC= 600V
L= 3.0Ω
G= 7.5Ω
GE= ±15V
- 12,600 -
pF
- 0.25 0.45
0.40 0.70
0.25 0.35
μs
- 0.80 1.10
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(T=25℃)
順電流
Forward Current
Item
DC
1ms
Symbol
FM
Rated Value
200
400
Unit
Characteristic
順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
Symbol Test Condition
rr
= 200A,VGE= 0V
= 200A,VGE= -10V
di/dt= 400A/μs
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
熱抵抗
IGBT
Thermal Impedance
Diode
Symbol Test Condition
Rth(j-c)
Junction to Case
(Tc測定点チップ直下)
Min.
Typ.
2.2
Max. Unit
2.6
0.2 0.3
μs
Min.
Typ. Max. Unit
0.104
0.214
℃/W
www.DataSheet.in
日本インター株式会社





SeitenGesamt 4 Seiten
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
PDMB200BS12IGBT MODULENihon Inter Electronics Corporation
Nihon Inter Electronics Corporation
PDMB200BS12CIGBT MODULENihon Inter Electronics Corporation
Nihon Inter Electronics Corporation

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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