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Número de pieza | RB162L-60 | |
Descripción | Schottky Barrier Diode | |
Fabricantes | ROHM Semiconductor | |
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Schottky Barrier Diode
RB162L-60
Applications
General rectification
Dimensions (Unit : mm)
Features
1) Small power mold type. (PMDS)
2) High switching speed
3) Low forward voltage
Construction
Silicon epitaxial planer
Land size figure (Unit : mm)
2.0
PMDS
Structure
Taping dimensions (Unit : mm)
Absolute maximum ratings (Tl=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
Limits
Repetitive peak reverse voltage
VRM
D0.5
60
Reverse voltage
VR Direct voltage
Average rectified forward current
Io
Glass epoxy substrate mounted
R-road, 60Hz half sin wave
60
1.0
Forward current surge peak
Junction temperature
IFSM
60Hz half sin wave, Non-repetitive
one cycle peak value, Tj=25C
Tj
20
150
Storage temperature
Tstg
-40 to +150
Unit
V
V
A
A
C
C
Electrical characteristics (Tj=25C)
Parameter
Symbol
Forward voltage
Reverse current
VF
IR
Conditions
IF=1.0A
VR=60V
Min. Typ. Max. Unit
- 0.54 0.65 V
- 4 100 μA
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1/3
2010.02 - Rev.A
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
RB162L-60 | Schottky Barrier Diode | ROHM Semiconductor |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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