PDF PBSS5160T Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	PBSS5160T
Descripción	60V 1A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Fabricantes	NXP Semiconductors
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No Preview Available ! DISCRETE SEMICONDUCTORS www.DataSheet4U.com DATA SHEET book, halfpage M3D088 PBSS5160T 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product speciﬁcation Supersedes data of 2003 Jun 23 2004 May 27 1 page Philips Semiconductors 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor wwwPr.DodautacSthsepeetc4Uiﬁ.ccaotmion PBSS5160T CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C unless otherwise speciﬁed. SYMBOL PARAMETER ICBO collector-base cut-off current ICES collector-emitter cut-off current IEBO emitter-base cut-off current hFE DC current gain VCEsat collector-emitter saturation voltage VBEsat RCEsat VBEon fT base-emitter saturation voltage equivalent on-resistance base-emitter turn-on voltage transition frequency Cc collector capacitance Note 1. Pulse test: tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02. CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT VCB = −60 V; IE = 0 A VCB = −60 V; IE = 0 A; Tj = 150 °C VCE = −60 V; VBE = 0 V VEB = −5 V; IC = 0 A VCE = −5 V; IC = −1 mA VCE = −5 V; IC = −500 mA; note 1 VCE = −5 V; IC = −1 A; note 1 IC = −100 mA; IB = −1 mA IC = −500 mA; IB = −50 mA IC = −1 A; IB = −100 mA; note 1 IC = −1 A; IB = −50 mA IC = −1 A; IB = −100 mA; note 1 VCE = −5 V; IC = −1 A IC = −50 mA; VCE = −10 V; f = 100 MHz −− −100 nA −− −50 µA −− −100 nA −− −100 nA 200 350 − 150 250 − 100 160 − − −110 −160 mV − −120 −175 mV − −220 −330 mV − −0.95 −1.1 V − 220 330 mΩ − −0.82 −0.9 V 150 220 − MHz VCB = −10 V; IE = Ie = 0 A; f = 1 MHz − 9 15 pF 600 handbook, halfpage hFE 400 200 MLE124 (1) (2) (3) −1.2 handbook, halfpage VBE (V) −0.8 −0.4 MLE122 (1) (2) (3) 0 −10−1 −1 −10 −102 −103 −104 IC (mA) VCE = −5 V. (1) Tamb = 100 °C. (2) Tamb = 25 °C. (3) Tamb = −55 °C. Fig.4 DC current gain as a function of collector current; typical values. 0 −10−1 −1 −10 −102 −103 −104 IC (mA) VCE = −5 V. (1) Tamb = −55 °C. (2) Tamb = 25 °C. (3) Tamb = 100 °C. Fig.5 Base-emitter voltage as a function of collector current; typical values. 2004 May 27 5 5 Page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
PBSS5160DS	60V 1A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor	NXP Semiconductors
PBSS5160DS	60V 1A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor	NXP Semiconductors
PBSS5160K	60V 1A PNP low VCEsat (BISS) transistor	NXP Semiconductors
PBSS5160K	60V 1A PNP low VCEsat (BISS) transistor	NXP Semiconductors

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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