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Número de pieza | 2SC1970 | |
Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
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isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SC1970
DESCRIPTION
·High Power Gain-
: Gpe≥ 9.2dB,f= 175MHz, PO= 1W; VCC= 13.5V
·High Reliability
APPLICATIONS
·Designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
PARAMETER
i.cnCollector-Base Voltage
.iscsemCollector-Emitter Voltage RBE= ∞
wwwEmitter-Base Voltage
VALUE UNIT
40 V
17 V
4V
IC Collector Current
0.6 A
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
PC
Collector Power Dissipation
@Ta=25℃
5
W
1
Tj Junction Temperature
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-a
Rth j-c
Thermal Resistance,Junction to Ambient
Thermal Resistance,Junction to Case
125 ℃/W
25 ℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn
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PDF Descargar | [ Datasheet 2SC1970.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
2SC1970 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) | Mitsubishi Electric Semiconductor |
2SC1970 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
2SC1971 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) | Mitsubishi Electric Semiconductor |
2SC1971 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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