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PDF GSMBT5551 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza GSMBT5551
Descripción TRANSISTOR
Fabricantes GTM　
Logotipo GTM Logotipo



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ISSUED DATE :2005/08/31
REVISED DATE :
GSMBT5551
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GSMBT5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage.
Features
High Collector-Emitter Breakdown Voltage (BVCEO=160V @ IC=1mA)
Complementary to GSMBT5401
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Total Power Dissipation
PD
Electrical Characteristics (Ta = 25 )
Symbol
Min. Typ. Max.
BVCBO
BVCEO
180 -
160 -
-
-
BVEBO
ICBO
6- -
- - 50
IEBO
- - 50
*VCE(sat)1
- - 150
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
- - 200
- -1
*VBE(sat)2
*hFE1
--
80 -
1
-
*hFE2
80 - 250
*hFE3
fT
30 -
-
100 - 300
Cob - - 6
REF.
A
A1
A2
D
E
HE
Millimeter
Min. Max.
0.80 1.10
0 0.10
0.80 1.00
1.80 2.20
1.15 1.35
1.80 2.40
REF.
L1
L
b
c
e
Q1
Millimeter
Min. Max.
0.42 REF.
0.15 0.35
0.25 0.40
0.10 0.25
0.65 REF.
0.15 BSC.
Ratings
+150
-55~+150
180
160
6
600
225
Unit
V
V
V
mA
mW
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
mV
V
V
MHz
pF
Test Conditions
IC=100uA , IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA ,IC=0
VCB=120V, IE=0
VEB=4V, IC=0
IC=10mA, IB=1mA
IC=50mA, IB=5mA
IC=10mA, IB=1mA
IC=50mA, IB=5mA
VCE=5V, IC=1mA
VCE=5V, IC=10mA
VCE=5V, IC=50mA
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
2%
GSMBT5551
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
GSMBT5551TRANSISTORGTM
GTM

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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