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PDF GSMBT1015 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | GSMBT1015 | |
| Descripción | TRANSISTOR | |
| Fabricantes | GTM | |
| Logotipo |  |
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GSMBT1015
ISSUED DATE :2004/12/08
REVISED DATE :
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GSMBT1015 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification.
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Junction Temperature
Storage Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Characteristics at Ta = 25
Symbol
Tj
Tstg
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE1
*hFE2
fT
Cob
Min.
-50
-50
-5
-
-
-
-
120
25
80
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
-100
-100
-300
-1.1
700
-
-
7
Classification Of hFE1
Rank
Range
A4Y
120-140
REF.
A
A1
A2
D
E
HE
Millimeter
Min. Max.
0.80 1.10
0 0.10
0.80 1.00
1.80 2.20
1.15 1.35
1.80 2.40
REF.
L1
L
b
c
e
Q1
Millimeter
Min. Max.
0.42 REF.
0.15 0.35
0.25 0.40
0.10 0.25
0.65 REF.
0.15 BSC.
Ratings
+150
-55~+150
-50
-50
-5
-150
225
Unit
V
V
V
mA
mW
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
V
MHz
pF
Test Conditions
IC=-100uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-50V
VEB=-5V
IC=-100mA, IB=-10mA
IC=-100mA, IB=-10mA
VCE=-6V, IC=-2mA
VCE=-6V, IC=-150mA
VCE=-10V, IC=-1mA, f=100MHz
VCB=-10V, f=1MHz,IE=0
* Pulse Test: Pulse Width 380us, Duty Cycle 2%
A4G
200-400
A4B
350-700
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| GSMBT1015 | TRANSISTOR | GTM |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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