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Número de pieza | CEM3120 | |
Descripción | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
Fabricantes | CET | |
Logotipo | ||
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
30V, 10A, RDS(ON) = 15mΩ @VGS = 10V.
RDS(ON) = 22mΩ @VGS = 4.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
Surface mount Package.
DD D D
8 7 65
5
SO-8
1
1 234
S SSG
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
VDS 30
VGS ±20
ID 10
IDM 40
Maximum Power Dissipation
PD 2.5
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient b
Symbol
RθJA
Limit
50
Units
V
V
A
A
W
C
Units
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 1. 2006.Sep
http://www.cetsemi.com
1 page |
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PDF Descargar | [ Datasheet CEM3120.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
CEM3120 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET |
CEM3128 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | CET |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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