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Teilenummer | D13009 |
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Beschreibung | NPN Silicon Bipolar Transistor | |
Hersteller | ETC | |
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Gesamt 1 Seiten ( DataSheet : www.DataSheet4U.com )
广东省粤晶高科股份有限公司
NPN 硅双极晶体管
■■ 主要用途:用于电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路。
■■ 绝对最大额定值(Ta=25℃)
参数名称
符号
集电极-基极电压
集电极-发射极电压
发射极-基极电压
集电极电流
VCBO
VCEO
VEBO
IC
基极电流
IB
集电极
耗散功率
(Tc=25℃)
(Ta=25℃)
PD
结温
Tj
储存温度
Tstg
■■电参数(Ta=25℃)
额定值
700
400
9
12
6
100
2
150
-55-150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
参数名称
符号
测试条件
共发射极直流电流增益
集电极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
特征频率
导通时间
存贮时间
下降时间
HFE(1) Vce=5 V,Ic=5.0A
BVcbo Ic=1 mA ,Ie=0
BVceo Ic=10 mA ,Ib=0
BVebo Ie=1 mA ,Ic=0
Icbo Vcb=700 V ,Ie=0
Iebo Veb=9 V ,Ic=0
Vce(sat) Ic=8A ,Ib=1.6A
Vbe(sat) Ic=8A ,Ib=1.6A
fT Vce=10V, Ic=500mA, f=1.0MHz
ton
ts
tf
Vce=10V, Ic=2A,
IB1=IB2=400mA
■■ HFE(1)分档及其标识
打印标识
D13009
分档
HFE(1)
A
10-25
B
20-35
C
30-40
D13009
C
B
E
BCE
规范值
最小 典型
8
700
400
9
4
最大
40
1
1
1.5
1.6
1.1
3.0
0.7
单位
β值
V
V
V
mA
mA
V
V
MHz
uS
uS
uS
QR027
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Seiten | Gesamt 1 Seiten | |
PDF Download | [ D13009 Schematic.PDF ] |
Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
D13001S | Low-frequency amplification environment rated bipolar transistors | ETC |
D13001S | Low-frequency amplification environment rated bipolar transistors | ETC |
D13003 | CD13003 | CDIL |
D13003D | NPN Transistor | PENGAI |
D13005 | NPN Silicon Bipolar Transistor | ETC |
Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
CD40175BC | Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop. |
Fairchild Semiconductor |
KTD1146 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR. |
KEC |
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