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PDF PBSS5350T Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | PBSS5350T | |
| Descripción | 50 V/ 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor | |
| Fabricantes | NXP Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PBSS5350T
50 V, 3 A
PNP low VCEsat (BISS) transistor
Product specification
Supersedes data of 2002 Aug 08
2004 Jan 13
1 page  
Philips Semiconductors
50 V, 3 A
PNP low VCEsat (BISS) transistor
1000
handbook, halfpage
hFE
800
600
MLD885
(1)
400 (2)
200 (3)
−010−1
−1
−10
−102
−103
−104
IC (mA)
VCE = −2 V.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = −55 °C.
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Product specification
PBSS5350T
−1200
handbook, halfpage
VBE
(mV)
−800
−400
MLD886
(1)
(2)
(3)
−010−1
−1
−10
−102
−103
−104
IC (mA)
VCE = −2 V.
(1) Tamb = −55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
handb−o1ok3,0h0alfpage
VBEsat
(mV)
−900
−500
MLD887
(1)
(2)
(3)
handb−o1ok3,0h0alfpage
VBEsat
(mV)
−900
−500
MLD888
(1)
(2)
(3)
−10−010−1
−1
−10
−102
−103
−104
IC (mA)
IC/IB = 10.
(1) Tamb = −55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
Fig.4 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
−10−010−1
−1
−10
−102
−103
−104
IC (mA)
IC/IB = 20.
(1) Tamb = −55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
2004 Jan 13
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| PBSS5350D | PNP transistor | NXP Semiconductors |
| PBSS5350D | PNP transistor | NXP Semiconductors |
| PBSS5350S | 50 V low VCEsat PNP transistor | NXP Semiconductors |
| PBSS5350SS | PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor | NXP Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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