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Teilenummer | F0118J |
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Beschreibung | GaAs Infrared Emitting Diode | |
Hersteller | OSRAM | |
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Gesamt 7 Seiten GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge)
GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil)
F 0118J
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im
Topled® Gehäuse.
• Chipgröße 300 x 300 µm2
• GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Vorderseitenmetallisierung: Aluminium
Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung
Anwendungen
• IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Lichtschranken bis 500 kHz
• Sensorik
Features
• Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in
Topled® package.
• Chip size 300 x 300 µm2
• Very highly efficient GaAlAs LED
• High reliability
• High pulse handling capability
• Good spectral match to silicon
photodetectors
• Frontside metallization: aluminum
Backside metallization: gold alloy
Applications
• IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
• Remote control for steady and varying
intensity
• Light-reflection switches (max. 500 kHz)
• Sensor technology
Typ
Type
F 0118J
Bestellnummer
Ordering Code
Q67220-C1350
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss
Rückseite AuGe Eutektikum
Infrared emitting die, top side anode connection
Backside AuGe eutectic alloy
2002-02-21
1
Maßzeichnung
Chip Outlines
F 0118J
p-contact
n-contact
Maße werden als typische1) Werte wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as typical1) values as
follows: mm (inch).
2002-02-21
6
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Seiten | Gesamt 7 Seiten | |
PDF Download | [ F0118J Schematic.PDF ] |
Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
F0118G | GaAs Infrared Emitting Diode | OSRAM |
F0118J | GaAs Infrared Emitting Diode | OSRAM |
Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
CD40175BC | Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop. |
Fairchild Semiconductor |
KTD1146 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR. |
KEC |
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