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PDF 3SK321 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 3SK321 | |
| Descripción | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET | |
| Fabricantes | Hitachi Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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3SK321
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
Application
UHF RF amplifier
Features
• Low noise figure.
NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz
• Capable of low voltage operation
• Provide mini mold packages; MPAK-4R(SOT-143 var.)
Outline
MPAK-4R
3
4
2
1 1. Source
2. Drain
3. Gate2
4. Gate1
ADE-208-711A (Z)
2nd. Edition
Dec. 1998
1 page  
3SK321
Forward Transfer Admittance vs.
Gate1 to Source Voltage
30
VDS = 6 V
f = 1 kHz
24
V G2S = 3.0 V
18 2.5 V
12 2.0 V
1.5 V
6 1.0 V
0.5 V
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Gate1 to source voltage VG1S (V)
Power Gain vs. Drain Current
25
20
15
10
5
0
12
VDS = 4 V
VG2S = 3 V
f = 900 MHz
5 10 20
Drain current I D (mA)
Noise Figure vs. Drain Current
5
VDS = 4 V
VG2S = 3 V
4 f = 900 MHz
3
2
1
0
12
5 10 20
Drain current I D (mA)
Power Gain vs. Drain to Source Voltage
25
20
15
10
5 VG2S = 3 V
I D = 10 mA
f = 900 MHz
0 2 4 6 8 10
Drain to source voltage VDS (V)
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 3SK320 | N CHANNEL DUAL GATE MES TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMP/ MIX) |  Toshiba Semiconductor |
| 3SK321 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET | Hitachi Semiconductor |
| 3SK322 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET | Hitachi Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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