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3EZ82 Schematic ( PDF Datasheet ) - Diotec Semiconductor

Teilenummer 3EZ82
Beschreibung Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
Hersteller Diotec Semiconductor
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Gesamt 2 Seiten
3EZ82 Datasheet, Funktion
Silicon-Power-Z-Diodes
(non-planar technology)
3EZ 1 … 3EZ 200 (3 W)
Silizium-Leistungs-Z-Dioden
(flächendiffundierte Dioden)
Dimensions / Maße in mm
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
3W
1…200 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
see page 16
siehe Seite 16
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf
Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Power dissipation – Verlustleistung
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
TA = 25/C
TA = 25/C
Ptot
PZSM
3.0 W 1)
60 W
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Tj – 50…+150/C
TS – 50…+175/C
RthA < 40 K/W 1)
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht
RthL < 15 K/W
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2) Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
3) The 3EZ 1is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.
Die 3EZ 1 ist eine in Durchlaß betriebene Einzelchip-Diode.
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
216 28.02.2002





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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
3EZ8.2Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor
3EZ8.2D10SILICON ZENER DIODESEIC
EIC
3EZ8.2D53W SILICON ZENER DIODEJinan Gude Electronic Device
Jinan Gude Electronic Device
3EZ8.2D5SILICON ZENER DIODESEIC discrete Semiconductors
EIC discrete Semiconductors
3EZ8.2D5Zener Voltage RegulatorsON Semiconductor
ON Semiconductor

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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