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Teilenummer | AG3J |
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Beschreibung | Silicon Rectifier Cells with polysiloxan passivation | |
Hersteller | Diotec Semiconductor | |
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Gesamt 1 Seiten Silicon Rectifier Cells
with polysiloxan passivation
AG 3A … AG3M
Silizium-Gleichrichterzellen
mit Polysiloxan-Passivierung
Dimensions / Maße in mm
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
3A
50…1000 V
0.3 g
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
AG 3A
AG 3B
AG 3D
AG 3G
AG 3J
AG 3K
AG 3M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Kenn- und Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
80
130
250
450
700
1000
1300
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100/C
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25/C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Forward voltage
Durchlaßspannung
Tj = 25/C
IF = 3 A
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25/C
VR = VRRM
IFAV 3 A 1)
IFRM
30 A 1)
IFSM 150 A
i2t 110 A2s
Tj – 50...+150/C
TS – 50...+150/C
VF < 1.2 V
IR < 10 :A
1) Max. temperature of the terminals TT = 100/C – Max. Temperatur der Kontaktflächen TT = 100/C
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28.02.2002
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Seiten | Gesamt 1 Seiten | |
PDF Download | [ AG3J Schematic.PDF ] |
Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
AG30 | Diode (spec sheet) | American Microsemiconductor |
AG302 | InGaP HBT Gain Block | ETC |
AG302 | InGaP HBT Gain Block | WJ Communications |
AG302-63 | InGaP HBT Gain Block | ETC |
AG302-63 | InGaP HBT Gain Block | ETC |
Teilenummer | Beschreibung | Hersteller |
CD40175BC | Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop. |
Fairchild Semiconductor |
KTD1146 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR. |
KEC |
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