|
|
PDF P3B28HP2 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | P3B28HP2 | |
| Descripción | Power MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | SHINDENGEN | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de P3B28HP2 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 4 Páginas | ||
|
No Preview Available !
Nch
P3B28HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FB
Unit：mm
280V3A
特長
煙面実装タイプ
煙低ノイズ
煙低容量
煙高アバランシェ耐量、高 di/dt耐量
Feature
煙SMD
煙LowNoise
煙LowCapacitance
煙HighAvalancheDurability,Highdi/dtDurability
P3B28H2
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（ピーク）
ContinuousSourceCurrent（DC）
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソースダイオード di/dt耐量
Drain-SourceDiodedi/dtStrength
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is＝3A,Tc＝25℃
－55～150
150
280
±30
3
12
3
35
3
20
2
350
℃
V
A
W
A
mJ
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝280V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝±25V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝1.5A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance （DS）ON
ID＝1.5A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS＝1.5A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD＝200V,VGS＝10V,ID＝3A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝50V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr ID＝1.5A,RL＝100Ω,VDD＝150V,Rg＝50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V
降下時間
Falltime
tf
280
─
─
0.8
─
3.00
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
1.6
1.7
3.75
─
─
3.6
120
4
25
9.5
10
22
24
─V
100
±10 μA
─S
2.0 Ω
4.50
1.5
V
3.55 ℃/W
─ nC
─
─ pF
─
─
─ ns
─
─
（MOS-p〈2014.03〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
1 page | ||
| Páginas | Total 4 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet P3B28HP2.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| P3B28HP2 | Power MOSFET ( Transistor ) | SHINDENGEN |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |