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PDF EMZB20P03L Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMZB20P03L
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMZB20P03L Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
24mΩ 
ID  ‐8A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
ESD Protection 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
Power Dissipation3 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMZB20P03L
LIMITS 
±25 
8 
6 
32 
10 
5 
2.5 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
JunctiontoLead 
SteadyState
RJL 
 
30 
JunctiontoAmbient4 
t    10s 
SteadyState
RJA 
 
 
50 
90 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3The power dissipation PD is based on TJ(MAX)=150°C, using  10s junctiontoambient thermal resistance. 
2015/9/2 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMZB20P03L pdf
 
10
I D  = ‐ 8A
8
6
4
Gate Charge Characteristics
VD  S   = ‐ 5V
‐ 15V
‐ 10V
2
0
0 5 10 15 20
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
25
  EMZB20P03L
2000
1600
1200
800
400
0
0
Capacitance Characteristics
Ciss
f = 1 MHz
VG S  = 0 V
Coss
Crss
5 10 15 20
‐ VD  S , DrainSource Voltage( V )
25
30
Maximum Safe Operating Area
100
10 R D S  (O  N  ) Limit
1
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.1
  VG  S = ‐10V
Single Pulse
R  J  A = 50°C/W
  T A  = 25°C
0.01
0.1
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
  0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
10 5
104
Transient Thermal Response Curve
103
10 2
101
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A = 50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) * RθJA
1 10
100
2015/9/2 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMZB20P03LField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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