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EMFA0P02V Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMFA0P02V
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
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Gesamt 5 Seiten
EMFA0P02V Datasheet, Funktion
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
20V 
D
RDSON (MAX.) 
100mΩ 
ID 
4.5A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2016/1/25 
EMFA0P02V
LIMITS 
±12 
4.5 
3.3 
18 
2.5 
1.6 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 





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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMFA0P02JField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMFA0P02JSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMFA0P02MField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMFA0P02VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMFA0P02VATField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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