DataSheet.es    


PDF EMZB08P03H Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMZB08P03H
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de EMZB08P03H (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 6 Páginas

No Preview Available ! EMZB08P03H Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
8.5mΩ 
ID  ‐70A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
ESD Protection 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMZB08P03H
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=50A, RG=25Ω
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
70 
50 
150 
50 
125 
50 
20 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2015/8/5 
 
 
2.5 
°C / W 
50 
p.1 

1 page




EMZB08P03H pdf
 
10
I D  = ‐ 15A
8
6
Gate Charge Characteristics
VD  S   = ‐ 5V
‐ 15V
‐ 10V
4
2
0
0 15 30 45 60
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
75
  EMZB08P03H
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
Capacitance Characteristics
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20 25
‐ V D S , DrainSource Voltage( V )
30
300
100 R d s (o  n ) Limit
10
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
10μ  s
100μ  s
1ms
10ms
100ms
DC
1
0.5
0.5
VG  S = ‐10V
RSIθ N J C G= L2E. 5P° UC/LWSE
Tc = 25° C
1 10
VD S  ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE( V )
100
1 Transient Thermal Response Curve
Duty Cycle = 0.5
0.5
0.3
0.2 0.2
0.1 0.1
0.05
0.05
0.02
0.03
0.01
0.02
Single Pulse
0.01
102
101
Notes:
DM
1 10
t 1 ,Time ( mSEC )
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J C  =2.5°C/W
3.TJ  ‐  TC   = P * R θ J C  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
100
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
3000 RSTIθC  N  J= C G= 2 L25E°.  5CP° UC/LWSE
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
0.1 1
10 100
SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
1000
1000
2015/8/5 
p.5 

5 Page










PáginasTotal 6 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet EMZB08P03H.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMZB08P03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMZB08P03HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMZB08P03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar