Datenblatt-pdf.com


EMB80P03JS Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMB80P03JS
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS Logo 




Gesamt 5 Seiten
EMB80P03JS Datasheet, Funktion
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
85mΩ 
ID 
3.6A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoAmbient3 
RJA (T ≤ 10sec)
RJA (Steady State)
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3The device mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2015/7/15 
EMB80P03JS
LIMITS 
±20 
3.6 
2.5 
14 
1.04 
0.66 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
83 
120 
UNIT 
°C / W 
p.1 





SeitenGesamt 5 Seiten
PDF Download[ EMB80P03JS Schematic.PDF ]

Link teilen




Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMB80P03JField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB80P03JSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


www.Datenblatt-PDF.com       |      2020       |      Kontakt     |      Suche