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EMB03N03V Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMB03N03V
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
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Gesamt 5 Seiten
EMB03N03V Datasheet, Funktion
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
3.0mΩ 
ID  37A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=37A, RG=25Ω
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
PD 
Tj, Tstg 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2015/3/9 
EMB03N03V
LIMITS 
±20 
37 
25 
148 
37 
68.4 
34.2 
21 
8.3 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
W 
°C 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 





SeitenGesamt 5 Seiten
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMB03N03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03HRField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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