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PDF EMBE0N10Q Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBE0N10Q
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMBE0N10Q Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
500mΩ 
ID  2.1A  G
 
UIS 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
VGS 
ID 
IDM 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
EMBE0N10Q
LIMITS 
±20 
2.1 
1.4 
8.4 
6.25 
2.5 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3150°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2013/8/30 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
20 
150 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBE0N10Q pdf
  EMBE0N10Q
 
 
 
 
 
10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 1.8A
 8
 
6
 
VD  S = 25V 50V
 4
 
2
 
 
0
0
 
3 69
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
12
Capacitance Characteristics
500
450
f  =  1M H z
V  G S  = 0 V
400
350
Ciss
300
250
200
150
100
50
0
0
Coss
Crss
20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
100
 
  100
M axim u m  Safe O p eratin g A rea
 
  10
  1 R  D S  (O  N  )Limit
 
 
0.1
10uS
100uS
1mS
10mS
100mS
DC
  VG S  = 10V
Single Pulse
R   JC=  2 0 ° C / W
  TC   = 25°C
0.01
0.1 1 10 100 1000
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J C = 20°C/W
40 TC = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
 1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
0.1
  0.1
0.05
  0.02
  0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.R    = 20°C/W
θJC
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J C  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
10 100
1000
2013/8/30 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBE0N10JSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBE0N10PField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBE0N10QField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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