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EMD03N06FS Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMD03N06FS
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
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Gesamt 5 Seiten
EMD03N06FS Datasheet, Funktion
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
4.1mΩ 
ID  90A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMD03N06FS
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=50A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
90 
56 
200 
50 
125 
62.5 
56 
22 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=30A, Rated VDS=60V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2.2 
62.5 
°C / W 
2016/10/25 
p.1 





SeitenGesamt 5 Seiten
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMD03N06FSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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