Datenblatt-pdf.com


EMB06N06H Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMB06N06H
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS Logo 




Gesamt 6 Seiten
EMB06N06H Datasheet, Funktion
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
5.2mΩ 
ID  80A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB06N06H
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1,3 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=75A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
80 
50 
170 
75 
281 
140 
56 
22 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=50A, Rated VDS=60V N-CH 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3Pulsed drain current rating is package limited. 
 
 
 
2.2 
°C / W 
50 
2016/4/15 
p.1 






EMB06N06H Datasheet, Funktion
 
Outline Drawing 
 
 
 
 H
 
 
 
 
 
 
 
 
 
G
 
 
 
Dimension in mm 
I
J K LD
E
F
B
C
 
M
A
Dimension  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M 
Min. 
4.80  5.50  5.90 0.3    0.85 0.15 3.67 0.41 3.00 0.94 0.45 0 
Typ.          1.27                 
Max. 
5.30  5.90  6.15 0.51    1.20 0.30 4.54 0.85 3.92 1.7  0.71 12 
 
Recommended minimum pads 
 
4,42
 
 
 
 
 
 
 
  0,61
  0,66
 
1,27
2016/4/15 
EMB06N06H
p.6 

6 Page







SeitenGesamt 6 Seiten
PDF Download[ EMB06N06H Schematic.PDF ]

Link teilen




Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMB06N06AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB06N06CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB06N06HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


www.Datenblatt-PDF.com       |      2020       |      Kontakt     |      Suche