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EMB12N10VS Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMB12N10VS
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
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Gesamt 5 Seiten
EMB12N10VS Datasheet, Funktion
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
12mΩ 
ID  32A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
TC = 25 °C 
TA = 25 °C 
Pulsed Drain Current1 
TA = 70 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=21A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
PD 
Tj, Tstg 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
2017/3/6 
EMB12N10VS
LIMITS 
±20 
32 
12 
9 
96 
20 
22 
11 
21 
8.3 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
W 
°C 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 





SeitenGesamt 5 Seiten
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMB12N10VSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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