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EMF50C02VA Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMF50C02VA
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
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Gesamt 8 Seiten
EMF50C02VA Datasheet, Funktion
 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
20V  ‐20V 
45mΩ  100mΩ 
ID 
4.8A 
3.4A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
365°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2016/2/17 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMF50C02VA
LIMITS 
NCH 
PCH 
±12  ±12 
4.8  ‐3.4 
3.8  ‐2.7 
19.2 
13.6 
1.9 
1.2 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
UNIT 
15  °C / W 
65   
p.1 






EMF50C02VA Datasheet, Funktion
 
PChannel 
 
 
 
12
 
 9
 
 6
 
 3
 0
 0
 
Typical output characteristics
VG  S = ‐4.5 V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
1 23 4
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
5
  Normalized onResistance v.s. Junction Temperature
  1.8
I D  = ‐3A
  1.6 V G S   = ‐4.5V
  1.4
  1.2
 
1.0
 
0.8
 
0.6
  50 25 0 25 50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature ( °C )
 
 
 
  10 Transfer  Characteristics
VDS= -5V
 
8
 
TA= -55°C
25°C
 6
125°C
 4
 
2
 
 0
12 3 4 5 6
  VGS, GateSource Voltage( V )
 
 
2016/2/17 
  EMF50C02VA
 OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
1.4 VGS = ‐2.5V
3.0V
1.2
3.5V
4.0V
4.5V
1.0
0.8
02 4 6
ID, Drain Current( A )
8
10
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.30
I D  = ‐ 3A
0.20
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
T A  = 125°C
T A  = 25°C
0.00
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
‐ VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
10
1 VG  S  = 0V
0.1
0.01 TA   = 125°C 25°C 55°C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.6 

6 Page







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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMF50C02VAField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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