Datenblatt-pdf.com


EMFA0B02G Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMFA0B02G
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS Logo 




Gesamt 5 Seiten
EMFA0B02G Datasheet, Funktion
 
 
Dual PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
20V 
RDSON (MAX.) 
100mΩ 
ID  ‐3A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2012/12/26 
EMFA0B02G
LIMITS 
±12 
3 
2.4 
16 
2 
1.2 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 





SeitenGesamt 5 Seiten
PDF Download[ EMFA0B02G Schematic.PDF ]

Link teilen




Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMFA0B02GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


www.Datenblatt-PDF.com       |      2020       |      Kontakt     |      Suche