Datenblatt-pdf.com


EMB12P03G Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMB12P03G
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS Logo 




Gesamt 5 Seiten
EMB12P03G Datasheet, Funktion
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.)(VGS=10V)  10mΩ 
ID 
13A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB12P03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±25 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
13 
10 
50 
Avalanche Current 
IAS  ‐15 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=15A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
11.25 
5.62 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
2.5 
1 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=10A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
°C / W 
50 
2012/12/17 
p.1 





SeitenGesamt 5 Seiten
PDF Download[ EMB12P03G Schematic.PDF ]

Link teilen




Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMB12P03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12P03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12P03HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12P03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


www.Datenblatt-PDF.com       |      2020       |      Kontakt     |      Suche