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PDF EMDA0P10F Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMDA0P10F
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMDA0P10F Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
120mΩ 
ID 
22A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=15A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
2013/12/20 
EMDA0P10F
LIMITS 
±20 
22 
15 
75 
15 
22.5 
11.25 
38 
15 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.3 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMDA0P10F pdf
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  EMDA0P10F
Gate Charge Characteristics
10
I D  = ‐ 11A
8
V D S   = ‐ 50V
6
‐ 80V
4
2
0
0 15 30
Q g  ‐ Gate Charge(nC)
45
100
10
R   D  S ( O N  )L im it
1
M a x im u m  S a fe  O p e ra tin g  A re a
10uS
100uS
1mS
D
10
C
10m
0mS
S
60
0 .1
    V G   S   =   ‐ 1 0 V
S in g le  P u lse
R   JC  =   3 . 3 ° C / W
    T C      =   2 5 ° C
0 .0 1
1 10 100
V D   S    ‐   D r a i n S o u r c e   V o l t a g e (   V   )
1000
5000
4000
3000
2000
Capacitance Characteristics
Ciss
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
1000
0
0
3000
2500
Coss
Crss
10 20
30
‐ VD  S , DrainSource Voltage( V )
40
Single Pulse Maximum Power Dissipation
RSTiθC  n  J= Cg = l2e 35 P°. 3Cu °Cls/eW
2000
1500
1000
500
0
0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
100
D=0.5
0.2
0.1
101
0.05
0.02
0.01
102
Transient Thermal Response Curve
single pulse
Note :
  1. RθJC(t)=3.3°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
105 104 103 102 101 100
t1,Time( sec )
101
2013/12/20 
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMDA0P10F.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMDA0P10FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMDA0P10GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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