Datenblatt-pdf.com


EMB04K03HPF Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMB04K03HPF
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS Logo 




Gesamt 9 Seiten
EMB04K03HPF Datasheet, Funktion
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
S2 S2 S2 G2
  NCHQ1  NCHQ2 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.)  9mΩ 
30V 
4mΩ 
D2 / S1
ID  15A  25A 
D1
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
D1 D1 D1 PIN 1
(G1)
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB04K03HPF
LIMITS 
UNIT 
Q1  Q2 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, RG=25Ω 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20  ±20 
15  25 
12  18 
60  100 
15  25 
11.25 
31.25 
5.62 
15.62 
48  100 
19  40 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC  Steady State
JunctiontoAmbient 
RJA  Steady State
RJA  t  10 s 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
RJA when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
TYPICAL 
 
 
 
MAXIMUM 
2.6  1.25 
62  55 
27  24 
UNIT 
°C / W
2013/11/21 
p.1 






EMB04K03HPF Datasheet, Funktion
 
 
1 2 G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
  ID = 1 0 A
  10
 8
 
6
 
4
 
V DS =5V
15V
10V
 2
 0
04
8 12
  Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
100
R D S  (O  N  ) Limit
10
Maximum Safe Operating Area
100μs
1ms
10ms
100ms
1
0.1
VG  S = 10V
Single Pulse
R  J  A = 62°C/W
TA   = 25°C
1s
10s
DC
0.01
0.1
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
 
 
 
1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
  0.1
0.1
0.05
 
0.02
  0.01
0.01
  Single Pulse
 
  0.001
10 4
 
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
 
 
 
 
10 4
EMB04K03HPF
C A P A C IT A N C E  C H A R A C T E R IS T IC S
10 3
C iss
10 2
C o ss
C rss
f =  1  M H z
V GS= 0  V
0 5 10 15 20 25
V DS ‐D R A IN S O U R C E  V O L T A G E  ( V  )
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
100
Single Pulse
Rθ  J A = 62°C/W
80 TA  = 25°C
60
40
20
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
Notes:
P DM
t1
t2
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J  A =62°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/11/21 
p.6 

6 Page







SeitenGesamt 9 Seiten
PDF Download[ EMB04K03HPF Schematic.PDF ]

Link teilen




Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMB04K03HPField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB04K03HPFField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


www.Datenblatt-PDF.com       |      2020       |      Kontakt     |      Suche