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EMF20A02V Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMF20A02V
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
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Gesamt 5 Seiten
EMF20A02V Datasheet, Funktion
 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
20V 
RDSON (MAX.) 
20mΩ 
ID  6A 
 
UIS 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMF20A02V
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
Avalanche Current 
IAS 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
100% UIS testing in condition of VD=10V, L=0.1mH, VG=4.5V, IL=6A, Rated VDS=20V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
±12 
6 
4 
24 
10 
5 
2.5 
2 
0.8 
55 to 150 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
2013/1/11 
p.1 





SeitenGesamt 5 Seiten
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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMF20A02GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMF20A02VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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