DataSheet.es    


PDF EMB70A08G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB70A08G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de EMB70A08G (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 5 Páginas

No Preview Available ! EMB70A08G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
80V 
RDSON (MAX.) 
65mΩ 
ID  5A 
 
UIS, 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=7A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB70A08G
LIMITS 
±20 
5 
3.6 
20 
7 
2.45 
1.23 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/7/24 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB70A08G pdf
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 5A
 
8
 
 6
V D S = 20V 40V
 4
 
 2
 0
0 3 6 9 12 15 18 21
  Q g  ‐ Gate Charge( nC )
  EMB70A08G
1500
1350
1200
1050
900
750
600
450
300
150
0
0
Ciss
Coss
Crss
10
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
20 30 40 50
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
60
 
  100
Maximum Safe Operating Area
 
10 R D S ( O N  )  Limit
 
 1
 
  0.1
VG S  = 10V
Single Pulse
  R  JA   = 125°C/W
TA   = 25°C
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
DC
  0.01
0.1
 
1 10
VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 125° C/W
40 TA  = 25° C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10
100 1000
 
 1
Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
 
0.2
  0.1 0.1
  0.05
0.02
  0.01
0.01
  Single Pulse
Notes:
P DM
t1
t2
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J  A =125°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
0.001
104 103 10 2 10 1
1
t 1 ,Time (sec)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/7/24 
p.5 

5 Page










PáginasTotal 5 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet EMB70A08G.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB70A08GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar