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EMB90N08V Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMB90N08V
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
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Gesamt 5 Seiten
EMB90N08V Datasheet, Funktion
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
80V 
D
RDSON (MAX.) 
85mΩ 
ID  5.2A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
G
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=6A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
2013/7/24 
EMB90N08V
LIMITS 
±20 
5.2 
3.9 
20 
6 
1.8 
0.9 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 





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Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMB90N08AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB90N08GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB90N08VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


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