Datenblatt-pdf.com


EMB32N03J Schematic ( PDF Datasheet ) - Excelliance MOS

Teilenummer EMB32N03J
Beschreibung Field Effect Transistor
Hersteller Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS Logo 




Gesamt 5 Seiten
EMB32N03J Datasheet, Funktion
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
35mΩ 
ID  5A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
2013/8/30 
 
EMB32N03J
LIMITS 
±20 
5 
3.3 
20 
1.25 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
100 
UNIT 
°C / W 
p.1 





SeitenGesamt 5 Seiten
PDF Download[ EMB32N03J Schematic.PDF ]

Link teilen




Besondere Datenblatt

TeilenummerBeschreibungHersteller
EMB32N03JField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB32N03JSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB32N03KN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB32N03PField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB32N03VATField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

TeilenummerBeschreibungHersteller
CD40175BC

Hex D-Type Flip-Flop / Quad D-Type Flip-Flop.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
KTD1146

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC


www.Datenblatt-PDF.com       |      2020       |      Kontakt     |      Suche