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PDF EMBB5N10P Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBB5N10P
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMBB5N10P Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
280mΩ 
ID  2.4A  G
 
UIS 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=5A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMBB5N10P
LIMITS 
±20 
2.4 
1.6 
9.6 
5 
1.25 
0.625 
1.47 
0.58 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3150°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/7/11 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
35 
85 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBB5N10P pdf
  EMBB5N10P
 
 
 
 
10
Gate Charge Characteristics
  I D  = 2A
 8
 
6
 
 4
VD  S   = 25V 50V
 
2
 
 
0
0
 
5 10
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
15
20
1000
900
800
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
Ciss V  G S  = 0 V
700
600
500
400
300
200
100
0
0
Coss
Crss
20 40 60 80
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
100
 
  100
M axim u m  Safe O p eratin g A rea
 
10
 
  1 R  D S  (O  N  )Limit
 
  0.1
10uS
100uS
1mS
10mS
100mS
DC
  VG  S = 10V
Single Pulse
R   JA =  8 5 ° C / W
  TA   = 25°C
0.010.1 1 10 100 1000
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 85°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
 
 1
Duty Cycle = 0.5
 
0.2
  0.1
0.1
Transient Thermal Response Curve
  0.05
0.02
  0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A = 85°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/7/11 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBB5N10PField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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